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DAF激光切割設備可實現SiP生產高速化
2019.6.4

文章来源:由「百度新聞」平台非商業用途取用"http://www.ck365.cn/news/200512/01/2949.html"

日本DISCO公司現已開發出DAF(DieAttachedFilm,芯片附加薄膜)激光切割設備,在使用厚度不足100μm的硅芯片生產SiP產品時,可提高生產量。  DAF是一種插在層疊芯片之間、厚為10μm~數十μm的薄膜。在使用DAF的SiP制造工藝中,通常是先在薄硅晶圓上貼上DAF之后再進行芯片切割。在切割過程中,不僅要切割硅芯片,還要切割DAF。  過去,在利用硅晶圓切割設備切割DAF時,存在著2大課題。第一,由于硅晶圓切割設備是專為切割硬質材料而設計的,因此用它切割樹脂材質的DAF時,切割速度就會下降。這是因為DAF會附著在刀具表面。而在切割硅晶圓時,不僅硅不會附著在刀具表面,而且由于硅的碰撞,刀刃會一點一點地剝落,總是保持可利用新刀刃進行切割的狀態,所以速度不易下降。如果是激光裝置,不會發生這種速度下降。  第二個問題是指,必須在切割芯片有可能不以棋盤狀進行排列的工序中對DAF進行切割。現有切割設備由于是轉動圓盤進行切割,因此基本上都只能切割成直線狀。因此,假如芯片的排列不是直線,那么就將很難切割芯片之間的DAF。如果是激光設備,即使芯片的排列不整齊,也能根據排列情況進行切割。據悉,此次的設備已向多家客戶交付使用。

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